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30WQ03FN from

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30WQ03FN

30V 3.5A Schottky Discrete Diode in a D-Pak package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
30WQ03FN 23 In Stock

Description and Introduction

30V 3.5A Schottky Discrete Diode in a D-Pak package **Introduction to the 30WQ03FN Electronic Component**  

The **30WQ03FN** is a high-performance electronic component designed for efficient power management in modern circuits. This device is commonly used in applications requiring reliable voltage regulation and power conversion, making it suitable for industrial, automotive, and consumer electronics.  

With a compact form factor and robust design, the 30WQ03FN offers excellent thermal performance and low power dissipation, ensuring stable operation under varying load conditions. Its advanced architecture supports fast switching speeds, reducing energy loss and improving overall system efficiency.  

Key features of the 30WQ03FN include high current handling capability, low on-resistance, and built-in protection mechanisms against overcurrent and overheating. These attributes make it a dependable choice for designers seeking to optimize power efficiency while maintaining circuit reliability.  

Whether integrated into power supplies, motor control systems, or portable devices, the 30WQ03FN provides a balance of performance and durability. Its versatility and adherence to industry standards make it a practical solution for engineers working on energy-efficient electronic designs.  

For detailed specifications and application guidelines, consulting the manufacturer’s datasheet is recommended to ensure proper implementation in target systems.

Application Scenarios & Design Considerations

30V 3.5A Schottky Discrete Diode in a D-Pak package# Technical Documentation: 30WQ03FN Schottky Barrier Diode

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 30WQ03FN is a 30V, 3A Schottky barrier diode commonly employed in  power conversion circuits  and  reverse polarity protection  applications. Its low forward voltage drop (typically 0.38V at 3A) makes it ideal for  high-efficiency rectification  in switching power supplies operating at frequencies up to 1MHz. The component excels in  output rectification  for DC-DC converters, particularly in buck and boost configurations where minimal voltage loss is critical.

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Used in laptop power adapters, gaming consoles, and USB-PD chargers for output rectification
-  Automotive Systems : Employed in infotainment systems, LED lighting drivers, and power distribution modules
-  Industrial Equipment : Applied in motor drive circuits, PLC power supplies, and battery management systems
-  Telecommunications : Utilized in base station power supplies and network equipment DC-DC conversion stages
-  Renewable Energy : Incorporated in solar charge controllers and power optimizers

### Practical Advantages
-  High Efficiency : Low VF reduces power dissipation by up to 60% compared to standard PN junction diodes
-  Fast Switching : Reverse recovery time <10ns enables high-frequency operation
-  Thermal Performance : Low thermal resistance (θJA ≈ 60°C/W) supports compact designs
-  Surge Capability : Withstands 100A non-repetitive surge current for 8.3ms

### Limitations
-  Voltage Constraint : Maximum 30V reverse voltage limits high-voltage applications
-  Thermal Derating : Requires heatsinking for continuous operation above 2A at elevated temperatures
-  Leakage Current : Higher reverse leakage (typically 0.5mA at 25°C) compared to silicon diodes

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Thermal Management Issues 
- *Problem*: Junction temperature exceeding 150°C during continuous operation
- *Solution*: Implement proper copper pour (minimum 2cm²) on PCB and consider external heatsink for currents >2A

 Voltage Overshoot 
- *Problem*: Transient spikes exceeding 30V during switching
- *Solution*: Add snubber circuits (10Ω resistor + 100pF capacitor) across diode terminals

 Current Sharing 
- *Problem*: Parallel operation without current balancing
- *Solution*: Include small series resistors (0.1Ω) or use separate windings for parallel configurations

### Compatibility Issues
 With MOSFETs 
- May require gate drive adjustment when used in synchronous rectification due to body diode characteristics
- Ensure proper dead-time control to prevent shoot-through in bridge configurations

 With Capacitors 
- Low ESR capacitors recommended to handle high di/dt during reverse recovery
- Ceramic capacitors (X7R/X5R) preferred for high-frequency decoupling

 With Inductors 
- Compatible with most ferrite and powder core inductors
- Avoid saturable core inductors that may cause current spikes

### PCB Layout Recommendations
 Power Path Routing 
- Use 2oz copper thickness for high-current traces
- Maintain trace width ≥3mm for 3A continuous current
- Keep anode-cathode loop area minimal to reduce EMI

 Thermal Management 
- Provide thermal vias (minimum 4) connecting pad to ground plane
- Allocate 15mm × 15mm copper area for heatsinking
- Position away from heat-sensitive components (≥5mm clearance)

 Signal Integrity 
- Place decoupling capacitor (100nF) within 5mm of diode terminals
- Route sensitive analog signals away from

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
30WQ03FN IR 14652 In Stock

Description and Introduction

30V 3.5A Schottky Discrete Diode in a D-Pak package # Introduction to the 30WQ03FN Schottky Diode by International Rectifier  

The **30WQ03FN** is a high-performance Schottky diode designed by International Rectifier (IR) for power management applications. With a low forward voltage drop and fast switching characteristics, this component is well-suited for high-efficiency rectification in DC-DC converters, power supplies, and reverse polarity protection circuits.  

Featuring a 30V reverse voltage rating and a 3A average forward current capability, the 30WQ03FN minimizes conduction losses while maintaining thermal stability. Its Schottky barrier construction ensures reduced switching noise and improved efficiency compared to conventional PN junction diodes.  

The device is housed in a compact, surface-mount **TO-252 (DPAK)** package, making it ideal for space-constrained designs. Its robust construction and high surge current tolerance enhance reliability in demanding environments.  

Engineers often select the 30WQ03FN for its balance of performance, thermal management, and cost-effectiveness. Whether used in automotive systems, industrial power supplies, or consumer electronics, this diode provides an efficient solution for high-speed switching applications.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into circuit designs.

Application Scenarios & Design Considerations

30V 3.5A Schottky Discrete Diode in a D-Pak package# Technical Documentation: 30WQ03FN Schottky Diode

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 30WQ03FN is a 30V, 3A surface-mount Schottky barrier rectifier diode commonly employed in:

 Power Conversion Circuits 
- Switch-mode power supply (SMPS) output rectification
- DC-DC converter circuits (buck, boost, flyback topologies)
- Freewheeling diode applications in inductive load circuits
- Reverse polarity protection circuits

 High-Frequency Applications 
- RF detection and mixing circuits (up to 1MHz)
- High-speed switching power supplies (100-500kHz)
- Clamping and snubber circuits in motor drives

### Industry Applications
 Automotive Electronics 
- LED lighting drivers and control systems
- Power window and seat motor controls
- Infotainment system power management
- Engine control unit (ECU) power circuits

 Consumer Electronics 
- Laptop and desktop computer power supplies
- Television and monitor power boards
- Gaming console power management
- Mobile device charging circuits

 Industrial Systems 
- PLC I/O protection circuits
- Motor drive and control systems
- Industrial power supply units
- Battery management systems

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Low forward voltage drop  (typically 0.38V @ 3A) reduces power losses
-  Fast switching characteristics  (nanosecond range) enable high-frequency operation
-  High temperature operation  capability (up to 150°C junction temperature)
-  Low reverse recovery time  minimizes switching losses and EMI
-  Surface-mount package  (TO-263/D²PAK) facilitates automated assembly

 Limitations: 
-  Limited reverse voltage rating  (30V) restricts high-voltage applications
-  Temperature-dependent performance  requires thermal management in high-current applications
-  Higher reverse leakage current  compared to PN junction diodes, especially at elevated temperatures
-  Sensitivity to voltage transients  necessitates proper overvoltage protection

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Thermal Management Issues 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Implement proper PCB copper area (≥ 6cm²) and consider additional heatsinking for currents >2A

 Voltage Stress Problems 
-  Pitfall : Voltage spikes exceeding 30V rating during switching transients
-  Solution : Incorporate snubber circuits and TVS diodes for overvoltage protection

 Current Handling Limitations 
-  Pitfall : Exceeding average current rating in high-temperature environments
-  Solution : Derate current handling by 20-30% for ambient temperatures above 85°C

### Compatibility Issues with Other Components
 Microcontroller/MOSFET Compatibility 
- Ensure gate drive circuits can handle the diode's capacitance (typically 150pF)
- Verify compatibility with PWM controller switching frequencies

 Capacitor Selection 
- Use low-ESR capacitors in parallel to handle high-frequency ripple currents
- Consider ceramic capacitors for high-frequency decoupling

 Inductor Interactions 
- Account for diode reverse recovery effects on inductor current waveforms
- Ensure inductor saturation current exceeds peak system currents

### PCB Layout Recommendations
 Thermal Management 
- Utilize minimum 2oz copper thickness for power planes
- Provide adequate copper area around thermal pad (minimum 6cm²)
- Incorporate multiple thermal vias under the package for heat dissipation

 Power Routing 
- Keep high-current traces short and wide (minimum 80 mil width for 3A)
- Place input/output capacitors close to diode terminals
- Maintain proper clearance (≥ 20 mil) between high-voltage nodes

 Signal Integrity 
- Route sensitive control signals away from high-di/dt paths
- Implement ground planes

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