100V 3A Schottky Discrete Diode in a SMC package **Introduction to the 30BQ100 Electronic Component**  

The **30BQ100** is a high-performance electronic component widely used in power management and rectification applications. Designed for efficiency and reliability, it belongs to the family of Schottky barrier diodes, known for their low forward voltage drop and fast switching capabilities.  

With a voltage rating of **100V** and optimized thermal characteristics, the 30BQ100 is suitable for circuits requiring minimal power loss and high-speed operation. Its robust construction ensures stable performance in demanding environments, making it a preferred choice for power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.  

Key features of the 30BQ100 include **low leakage current**, high surge current capability, and excellent thermal management. These attributes contribute to extended operational life and improved system efficiency. Engineers often select this component for its balance of cost-effectiveness and technical performance in both industrial and consumer electronics.  

Whether integrated into automotive systems, renewable energy solutions, or portable devices, the 30BQ100 provides reliable rectification with minimal energy dissipation. Its compact form factor further enhances its versatility across various circuit designs, ensuring seamless integration into modern electronic applications.  

For designers seeking a dependable Schottky diode, the 30BQ100 offers a proven solution for high-efficiency power conversion and protection needs.

100V 3A Schottky Discrete Diode in a SMC package applications are in diskdrives, switching power supplies, converters, free-wheelingI Rectangular 3.0 AF(AV)diodes, battery charging, and reverse battery protection.waveformSmall foot print, surface mountableV 100 VRRMVery low forward voltage dropHigh frequency operationI @ t = 5 µs    sine 2100 ApFSMGuard ring for enhanced ruggedness and long termreliabilityV @ 3.0 Apk, T = 125°C 0.62 V F J T range -   55  to 175 °CJDevice Marking: IR3J2.75 (.108) 5.59 (.220) CATHODE ANODE3.15 (.124) 6.22 (.245) 6.60 (.260)1 27.11 (.280).152 (.006) .305 (.012) 1 POLARITY 2 PART NUMBER2.00 (.079)2.62 (.103).102 (.004) 0.76 (.030) .203 (.008) 1.52 (.060) 7.75 (.305) 8.13 (.320) Outline SMCDimensions in millimeters and (inches)For  recommended footprint and soldering techniques refer to Application Note # AN-994 130BQ100Bulletin   PD-2.441   rev. F   05/02Voltage RatingsPart number 30BQ100V Max. DC Reverse Voltage (V) 100RV Max. Working Peak Reverse Voltage (V)RWMAbsolute Maximum RatingsParameters 30BQ Units ConditionsI Max. Average  Forward  Current 3.0 A 50% duty   cycle @ T = 148 °C, rectangular   wave formF(AV) L4.0 50% duty   cycle @ T = 138 °C, rectangular   wave formLI Max. Peak One Cycle Non-Repetitive 2100 A 5µs  Sine or 3µs Rect. pulse Following any ratedFSMload condition andSurge Current 100 10ms Sine or 6ms Rect.  pulse with rated V applied RRME Non  Repetitive  Avalanche  Energy 5 mJ T = 25 °C, I = 2.8A, L = 10mHAS J ASI Repetitive  Avalanche  Current 0.3 A Current  decaying linearly to zero in 1 µsecAR Frequency limited  by T  max. Va = 1.5 x Vr  typicalJ