Power MOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) The part number 2SK3757 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Below are the key specifications for the 2SK3757:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V
- **Drain Current (I_D)**: 8A
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.75Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1000pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 150pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 20pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 50ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 70ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 30ns (typical)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.