Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part number 2SK3670 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 600V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns (typical)
- **Rise Time (tr)**: 35ns (typical)
- **Fall Time (tf)**: 20ns (typical)
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part number 2SK3670 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications for the 2SK3670:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 600V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typical)
- **Rise Time (tr)**: 50ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns (typical)
- **Fall Time (tf)**: 30ns (typical)
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SK3670 MOSFET.