Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PI-MOS VII) Switching Regulators, for Audio Amplifier and Motor Drive Applications Part number 2SK3669 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. The key specifications for the 2SK3669 are as follows:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 600V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 30W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 1.5Ω (typical) at Vgs = 10V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 300pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 50pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 10pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 50ns (typical)
- **Rise Time (tr)**: 20ns (typical)
- **Fall Time (tf)**: 30ns (typical)
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SK3669 MOSFET.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PI-MOS VII) Switching Regulators, for Audio Amplifier and Motor Drive Applications Part number 2SK3669 is a MOSFET transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 600V
- **Drain Current (Id)**: 8A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 1.2Ω (typical)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the 2SK3669 MOSFET. For detailed performance characteristics and operating conditions, refer to the official datasheet.