N-CHANNEL SILICON J-FET The part 2SK3653B is a MOSFET transistor manufactured by NEC. It is an N-channel enhancement mode MOSFET designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** 30A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.035Ω (typical) at Vgs = 10V
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The 2SK3653B is commonly used in power supply circuits, motor control, and other high-speed switching applications.