N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET The part number 2SK3338-01 is a semiconductor device manufactured by FUJITSU. It is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 8A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.9Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 600pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 100pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Switching Speed**: Fast, suitable for high-frequency applications
- **Package**: TO-220F (isolated type)

These specifications make the 2SK3338-01 suitable for use in power supply circuits, inverters, and other high-speed switching applications.