SILICON N CHANNEL TRANSISTOR The 2SK332 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. It is an N-channel enhancement mode MOSFET designed for high-speed switching applications. Key specifications include a drain-source voltage (V_DSS) of 60V, a continuous drain current (I_D) of 5A, and a power dissipation (P_D) of 30W. The device features a low on-resistance (R_DS(on)) of 0.2Ω and is housed in a TO-220AB package. It is commonly used in power management and switching circuits.

SILICON N CHANNEL TRANSISTOR The 2SK332 is a MOSFET transistor manufactured by SANYO. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 25W
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.3Ω (typical)
- **Gate Threshold Voltage (Vth)**: 1.0V to 2.5V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 300pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 80pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SK332 MOSFET as provided by SANYO.

SILICON N CHANNEL TRANSISTOR The 2SK332 is a N-channel JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by NEC. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** -30V
- **Drain Current (Id):** 10mA
- **Power Dissipation (Pd):** 200mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off)):** -0.5V to -6V
- **Input Capacitance (Ciss):** 5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 2pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 1pF (typical)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.