MOS FET The part 2SK3112 is a MOSFET transistor manufactured by NEC. It is an N-channel enhancement mode silicon gate field-effect transistor. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 60V
- **Drain Current (Id):** 5A
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.3Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typical)
- **Rise Time (tr):** 20ns (typical)
- **Fall Time (tf):** 20ns (typical)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.