Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSV) DC .DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications The part 2SK2862 is a semiconductor device manufactured by TOSHIBA. It is a Silicon N Channel MOS Field Effect Transistor (MOSFET). Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V DSS):** 60V
- **Gate-Source Voltage (V GSS):** ±20V
- **Drain Current (I D):** 30A
- **Total Power Dissipation (P D):** 40W
- **Drain-Source On Resistance (R DS(on)):** 0.035Ω (max)
- **Input Capacitance (C iss):** 1200pF (typ)
- **Output Capacitance (C oss):** 300pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (C rss):** 80pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (t d(on)):** 10ns (typ)
- **Rise Time (t r):** 30ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (t d(off)):** 50ns (typ)
- **Fall Time (t f):** 20ns (typ)

This MOSFET is designed for high-speed switching applications and is commonly used in power management circuits.