N-channel MOS-FET **Introduction to the 2SK2806 MOSFET**  

The **2SK2806** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

With a robust voltage rating and efficient thermal characteristics, the 2SK2806 ensures reliable operation in demanding environments. Its low gate charge and threshold voltage make it suitable for high-frequency applications, minimizing power losses and improving overall efficiency.  

Engineers often select the 2SK2806 for its compact packaging and ability to handle significant current loads while maintaining stability. Whether in industrial automation, consumer electronics, or automotive systems, this MOSFET provides a dependable solution for managing power distribution.  

When integrating the 2SK2806 into circuit designs, proper heat dissipation and gate drive considerations are essential to maximize performance. Its specifications make it a versatile choice for both prototyping and large-scale production.  

For detailed electrical characteristics and application guidelines, referring to the manufacturer’s datasheet is recommended to ensure optimal implementation.

N-channel MOS-FET The part 2SK2806 is a power MOSFET manufactured by FUJI. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V
- **Drain Current (I_D)**: 8A
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.2Ω (typical)
- **Package**: TO-3P
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: Suitable for switching power supplies, motor control, and other high-voltage applications.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the specific conditions outlined in the documentation.