2SK2645Manufacturer: FUJI N-channel MOS-FET | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| 2SK2645 | FUJI | 20014 | In Stock |
Description and Introduction
N-channel MOS-FET The **2SK2645** is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching applications in various electronic circuits. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supplies, motor control systems, and DC-DC converters.  
With a drain-source voltage (VDSS) rating of 500V and a continuous drain current (ID) of up to 8A, the 2SK2645 offers robust performance in medium-power applications. Its low gate charge and fast switching characteristics help minimize power losses, making it an energy-efficient choice for modern electronics.   The MOSFET features a compact TO-220F package, ensuring ease of integration into circuit designs while providing effective heat dissipation. Engineers often select the 2SK2645 for its reliability, durability, and ability to handle high-voltage operations with minimal thermal stress.   Whether used in industrial equipment, automotive electronics, or renewable energy systems, the 2SK2645 delivers consistent performance, making it a preferred component for designers seeking a balance between power handling and efficiency. Its specifications and design make it suitable for both switching and amplification tasks in demanding environments. |
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips