Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type FM Tuner Applications VHF Band Amplifier Applications The part 2SK192A is a field-effect transistor (FET) manufactured by Toshiba. It is an N-channel junction FET (JFET) designed for low-noise amplification applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 40V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** 40V
- **Drain Current (Id):** 10mA
- **Power Dissipation (Pd):** 200mW
- **Input Capacitance (Ciss):** 4.5pF
- **Output Capacitance (Coss):** 2.5pF
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 1.5pF
- **Noise Figure (NF):** Typically 1.5dB at 1kHz
- **Transconductance (gm):** 5mS (minimum)

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SK192A JFET.