N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET The part 2SK1006 is a power MOSFET manufactured by FUJI. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (typical)
- **Package**: TO-220F
- **Operating Temperature Range**: -55°C to 150°C
- **Applications**: Switching power supplies, motor control, and other high-voltage applications.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the specific conditions and testing parameters outlined by FUJI.