Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (pi-MOSV) Chopper Regulator, DC .DC Converter and Motor Drive Applications The 2SJ407 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V DSS):** -30V
- **Gate-Source Voltage (V GSS):** ±20V
- **Drain Current (I D):** -12A
- **Power Dissipation (P D):** 30W
- **Drain-Source On-Resistance (R DS(on)):** 0.035Ω (typical) at V GS = -10V, I D = -6A
- **Gate Threshold Voltage (V GS(th)):** -1.0V to -2.5V
- **Input Capacitance (C iss):** 1000pF (typical)
- **Output Capacitance (C oss):** 300pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C rss):** 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t d(on)):** 10ns (typical)
- **Rise Time (t r):** 30ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t d(off)):** 50ns (typical)
- **Fall Time (t f):** 20ns (typical)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (pi-MOSV) Chopper Regulator, DC .DC Converter and Motor Drive Applications The 2SJ407 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: P-channel MOSFET
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -60V
3. **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V
4. **Drain Current (I_D)**: -12A
5. **Power Dissipation (P_D)**: 30W
6. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.045Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -6A
7. **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.0V to -3.0V
8. **Input Capacitance (C_iss)**: 1100pF (typ)
9. **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF (typ)
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 80pF (typ)
11. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
12. **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 2SJ407 MOSFET.