TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE (L2-PI-MOSV) RELAY DRIVE, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS The 2SJ380 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the Toshiba datasheet:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30 V
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20 V
- **Drain Current (I_D)**: -5.5 A
- **Power Dissipation (P_D)**: 2 W
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55 to 150 °C
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on))**: 0.045 Ω (typical) at V_GS = -10 V, I_D = -5.5 A
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.0 to -2.5 V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 520 pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 110 pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30 pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10 ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 30 ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50 ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 20 ns (typical)

These specifications are based on Toshiba's official datasheet for the 2SJ380 MOSFET.

TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE (L2-PI-MOSV) RELAY DRIVE, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS The 2SJ380 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V DSS):** -30V
- **Gate-Source Voltage (V GS):** ±20V
- **Drain Current (I D):** -12A
- **Power Dissipation (P D):** 30W
- **On-Resistance (R DS(on)):** 0.045Ω (max) at V GS = -10V, I D = -6A
- **Gate Threshold Voltage (V GS(th)):** -1.0V to -2.5V
- **Input Capacitance (C iss):** 1000pF (typ)
- **Output Capacitance (C oss):** 300pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (C rss):** 100pF (typ)
- **Operating Junction Temperature (T J):** -55°C to 150°C

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SJ380 MOSFET.