Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-MOSV) Chopper Regulator, DC .DC Converter and Motor Drive Applications The 2SJ360 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V DSS):** -30V
- **Gate-Source Voltage (V GS):** ±20V
- **Drain Current (I D):** -12A
- **Power Dissipation (P D):** 30W
- **Drain-Source On-Resistance (R DS(on)):** 0.045Ω (max) at V GS = -10V, I D = -6A
- **Gate Threshold Voltage (V GS(th)):** -1.0V to -2.5V
- **Input Capacitance (C iss):** 1100pF (typ)
- **Output Capacitance (C oss):** 300pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (C rss):** 60pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (t d(on)):** 10ns (typ)
- **Rise Time (t r):** 30ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (t d(off)):** 40ns (typ)
- **Fall Time (t f):** 20ns (typ)
- **Package:** TO-220SIS

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on specific use cases.

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-MOSV) Chopper Regulator, DC .DC Converter and Motor Drive Applications The 2SJ360 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: P-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: -60V
- **Drain Current (Id)**: -30A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.035Ω (typical) at Vgs = -10V
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on specific application conditions.