Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Applications The 2SJ345 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -250V
- **Drain Current (Id):** -7A
- **Power Dissipation (Pd):** 40W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 1.2Ω (typical) at Vgs = -10V, Id = -4A
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 20ns (typical)
- **Rise Time (tr):** 50ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)
- **Fall Time (tf):** 30ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220AB

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on specific application conditions.