P-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The 2SJ225 is a P-channel MOSFET manufactured by SAY. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V DSS):** -250V
- **Gate-Source Voltage (V GS):** ±20V
- **Drain Current (I D):** -7A
- **Power Dissipation (P D):** 30W
- **On-Resistance (R DS(on)):** 1.2Ω (max) at V GS = -10V, I D = -3.5A
- **Gate Threshold Voltage (V GS(th)):** -2V to -4V
- **Input Capacitance (C iss):** 400pF (typ)
- **Operating Junction Temperature (T J):** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.