Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Power Amplifier Application The 2SJ200 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -200V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -10A
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.5Ω (typical)
- **Gate Threshold Voltage (Vth):** -2V to -4V
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 150pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to 150°C
- **Package:** TO-220AB

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on specific use cases and environmental factors.

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Power Amplifier Application The 2SJ200 is a P-channel MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -200V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -10A
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (typical) at V_GS = -10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on specific use cases.