Small-signal device The 2SD966 is a silicon NPN epitaxial planar transistor designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-92
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 40V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 900mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the specific variant and operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz

These specifications are typical for the 2SD966 transistor and may vary slightly depending on the manufacturer and specific operating conditions.