SI NPN EPTAXIAL PLANAR The 2SD855A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by UTG (Unisonic Technologies). Here are the key specifications:

- **Type:** NPN Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD855A transistor as provided by UTG.