Silicon NPN Power Transistors TO-220 package The 2SD841 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
2. **Applications**: Designed for use in high-voltage switching and amplification circuits.
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 300V
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 300V
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V
6. **Collector Current (IC)**: 1.5A
7. **Collector Dissipation (PC)**: 25W
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
9. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
10. **DC Current Gain (hFE)**: Typically 40 to 320 (depending on operating conditions)
11. **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (typical)
12. **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions unless otherwise noted.