TO-220 Plastic-Encapsulate Biploar Transistors The 2SD2012 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 1A, VCE = 10V, f = 100MHz)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD2012 transistor.