Power Device The 2SD1975 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-frequency amplification and oscillation applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (fT):** 120MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320

The transistor is typically used in RF and VHF amplifier circuits. It comes in a TO-220 package.