NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistors High-Current Switching Applications The 2SD1905 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (ft):** 50MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1905 transistor as provided by SANYO.