NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR The 2SD1692 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. It is designed for use in high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.3V (max) (at IC = 1A, IB = 0.1A)

The transistor is packaged in a TO-92MOD package.