Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor) High Power Switching Applications Motor Control Applications The 2SD1314 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 30W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 1A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1314 transistor and are subject to standard manufacturing variations.