Small-signal device The 2SD1030 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Package:** TO-220
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 3A
- **Collector Dissipation (Pc):** 30W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (ft):** 20MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320
- **Applications:** General-purpose amplification and switching

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SD1030 transistor.