Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications The 2SC5322 is a high-frequency, high-speed switching NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package:** TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 230V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 230V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 15A
- **Collector Dissipation (PC):** 50W
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SC5322 transistor and are subject to the conditions outlined in Toshiba's datasheet.