MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The 2SC5194 is a high-power NPN transistor manufactured by NEC. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Manufacturer**: NEC
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (ft)**: 30MHz
- **Package**: TO-3P (also known as TO-247)
- **Application**: Primarily used in power amplification and switching applications.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.