Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications The 2SC4738 is a high-frequency transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 5.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Package**: SOT-323 (Miniature Surface Mount Package)

These specifications are typical for the 2SC4738 transistor and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.

Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications The 2SC4738 is a high-frequency transistor manufactured by DIODES. It is designed for use in RF amplification and oscillation applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-23

These specifications are typical for the 2SC4738 transistor and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.