NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 800V/3A Switching Regulator Applications The 2SC4224 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for use in VHF band amplification and oscillation. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V
- **Collector Current (IC):** 50mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW
- **Transition Frequency (fT):** 7GHz
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain Bandwidth Product (fT):** 7GHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is housed in a small, surface-mount package (SOT-323) and is commonly used in RF applications such as mobile communication devices and other high-frequency circuits.

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 800V/3A Switching Regulator Applications The 2SC4224 is a high-frequency transistor manufactured by SANYO. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: Designed for high-frequency amplification and oscillation applications, particularly in VHF/UHF bands.
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200 (typical)
- **Package**: TO-92 (small plastic package)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are intended for reference purposes.