HIGH SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The 2SC4176 is a high-frequency transistor manufactured by NEC. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: Designed for use in VHF band amplifier applications.
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 6GHz (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical) at 1GHz
- **Gain (hFE)**: 20 to 200

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are intended for reference in designing and implementing circuits using the 2SC4176 transistor.