NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFIERS AND ULTRA HIGH SPEED SWITCHINGS INDUSTRIAL USE The 2SC3810 is a high-frequency transistor manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: Designed for high-frequency amplification and oscillation in VHF/UHF bands.
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 1.5GHz (min)
- **Noise Figure (NF)**: 2.5dB (typical at 1GHz, VCE=10V, IC=5mA)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SC3810 transistor.