Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Audio Amplifier and Switching Applications The 2SC3112 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF and microwave applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC3112 transistor as provided by Toshiba.