Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) High Current Switching Applications The 2SC3074 is a high-frequency transistor manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 0.1A
- **Collector Dissipation (PC)**: 0.3W
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 600MHz
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 600MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 100MHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific batch or version of the transistor.

Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) High Current Switching Applications The 2SC3074 is a high-frequency, high-speed switching NPN transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 900V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 7A
- **Collector Dissipation (PC)**: 40W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 60 (at IC = 3A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (typical)
- **Applications**: High-speed switching, power amplification, and general-purpose applications.

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC3074 transistor.