Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications The 2SC2983 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 0.1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 0.8W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 200MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC2983 transistor and are used in applications requiring high-speed switching and amplification in electronic circuits.

Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications The 2SC2983 is a high-frequency, high-speed switching NPN transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF amplifiers and oscillators. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V
- **Collector Current (IC):** 50mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW
- **Transition Frequency (fT):** 500MHz
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain Bandwidth Product (GBW):** 500MHz
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SC2983 transistor and are subject to variation based on operating conditions.