Silicon transistor The 2SC2721 is a silicon NPN epitaxial planar transistor designed for high-frequency amplification. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 30V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 300mW
- **Transition Frequency (ft)**: 600MHz
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 600MHz
- **Noise Figure (NF)**: 3dB (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC2721 transistor, which is commonly used in RF amplification applications.

Silicon transistor The 2SC2721 is a high-frequency transistor manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 600MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 100MHz)
- **Gain Bandwidth Product (GBW)**: Not explicitly stated in Ic-phoenix technical data files
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SC2721 transistor.