Silicon NPN Power Transistors TO-220C package The 2SC2552 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Package:** TO-92MOD
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 100mA
- **Collector Dissipation (PC):** 200mW
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 820 (at VCE=6V, IC=1mA)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (at VCE=10V, IC=1mA, f=100MHz)
- **Noise Figure (NF):** 1dB (at VCE=6V, IC=1mA, f=1kHz)

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SC2552 transistor.

Silicon NPN Power Transistors TO-220C package The 2SC2552 is a high-frequency transistor manufactured by Fujitsu. Here are the factual specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: Designed for high-frequency amplification in VHF and UHF bands
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions specified therein.