TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SC1627A is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = 6V, IC = 0.1A)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (min)
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC1627A transistor.