Power Device The part 2SB949 is a PNP silicon transistor manufactured by MIT Electronics. The key specifications for the 2SB949 transistor are as follows:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 1A, VCE = -5V)
- **Package**: TO-220

These specifications are provided by MIT Electronics for the 2SB949 transistor.