Power Device The 2SB929 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -0.5A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB929 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.