TRANSISTOR SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS). AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SB906 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Its key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 0.5A, VCE = -5V)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching.

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SB906 transistor.

TRANSISTOR SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS). AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS The part 2SB906 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Its key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SB906 transistor.