PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors Driver Applications The 2SB885 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB885 transistor as provided by Toshiba.