PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD The 2SB800 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NEC. According to the NEC specifications, it has the following key characteristics:

- **Type:** PNP transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SB800 transistor.