AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(MINI MOLD) Part 2SB736 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. The NEC (Nippon Electric Company) specifications for this transistor are as follows:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Power Dissipation (Pc)**: 900mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz

These specifications are typical for the 2SB736 transistor and are based on NEC's datasheet. Always refer to the official datasheet for precise details and operating conditions.