Audio frequency power amplifier medium speed switching. Collector-base voltage: Vcbo = -60V. Collector-emitter voltage: Vceo = -50V. Emitter-base voltage Vebo = -6V. Collector dissipation: Pc(max) = 0,75W. Part 2SB1116 is a PNP transistor manufactured by ROHM Semiconductor. The key specifications are:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Power Dissipation (PD)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-126

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.