PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR Part 2SB1093 is a PNP silicon epitaxial planar transistor commonly used for general-purpose amplification and switching applications. The manufacturer specifications for this transistor typically include the following key parameters:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** -50V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** -60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** -5V
- **Collector Current (Ic):** -2A
- **Power Dissipation (Pc):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on the specific model and operating conditions)
- **Transition Frequency (ft):** Typically around 100MHz

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific manufacturer and batch. Always refer to the datasheet provided by the manufacturer for precise details.