Small-signal device The 2SA683 is a PNP silicon transistor manufactured by Panasonic (PANA). Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -0.7A
- **Power Dissipation (Pc)**: 0.8W
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SA683 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.

Small-signal device The 2SA683 is a PNP silicon transistor manufactured by various companies, including PAN (Panasonic). Below are the key specifications for the 2SA683 transistor:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Power Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the specific variant and operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)
- **Package**: TO-92 (common package type)

These specifications are based on standard datasheet information for the 2SA683 transistor. Always refer to the specific manufacturer's datasheet for precise details.